mos管驱动电压一般多少
创始人
2026-02-02 12:15:28
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MOS 管“驱动电压”要分两层看：① 阈值电压 VGS(th) —— 刚“开”所需的最小电压；② 完全导通电压 —— 拿到 datasheet 标称 RDS(on) 时必须达到的栅压。
下面按主流工艺给出 2025-2026 年最新实测范围，设计时直接照表取值即可。
- 传统硅基 MOSFET
- 阈值：0.8–4 V（随温度 −7 mV/°C 漂移）
- 完全导通：10–15 V‑ 低压器件（≤250 V）常用 10 V 驱动；‑ 600 V 超结器件推荐 12 V，可向下兼容 10 V；‑ 15 V 用于大电流模块，>15 V 已无显著 RDS(on) 收益。
- 逻辑电平 MOSFET
- 阈值：1.0–2.5 V
- 完全导通：4.5 V（手册给定 4.5 V 下的 RDS(on)）适用 3.3 V/5 V 单片机直接驱动，但峰值电流 ≤20 mA 时需加图腾柱。
- SiC MOSFET
- 阈值：2.2–3.5 V（比硅略低）
- 完全导通：18 V（主流规格书统一在 18 V 给出 RDS(on)）驱动芯片选 20 V 输出级，负压关断常用 −3 V 以抑制米勒尖峰。
- GaN HEMT
- 阈值：1.5–2.5 V
- 完全导通：5–6 V栅极限压 ±10 V，驱动器输出 6 V 典型，负压 0 to −3 V 可选。
设计口诀“低压硅 10 V，逻辑 4.5 V；高压硅 12 V，SiC 18 V，GaN 6 V 别超 10 V。”
只要按上表给足栅压，再保证驱动源能提供 Qg 所需的瞬态电流，MOS 就能完全导通且振铃可控。
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