荣芯半导体申请半导体结构及其制作方法专利，可以减少晶圆键合时产生的气泡
创始人
2026-02-05 15:14:26
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国家知识产权局信息显示，荣芯半导体（宁波）有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN121463819A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构中，第一晶圆的第一表面上具有第一金属对准标记，第一键合介质层位于第一表面上，第一键合介质层具有第一金属设置区和环绕第一金属设置区的第二金属设置区，第二金属设置区和第一金属设置区之间具有大于零的间距，第一金属设置区在第一表面的正投影至少部分与第一金属对准标记重叠，第二金属设置区在第一表面的正投影环绕第一金属对准标记且与第一金属对准标记之间具有大于零的间距，第一金属铺设于第一金属设置区内，第二金属铺设于第二金属设置区内，第二金属靠近第一金属的边界限定出标记图形的外轮廓。这样可以利用标记图形进行晶圆键合后的对准，且可以减少晶圆键合时产生的气泡。
天眼查资料显示，荣芯半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41452.2292万人民币。通过天眼查大数据分析，荣芯半导体（宁波）有限公司共对外投资了6家企业，财产线索方面有商标信息15条，专利信息95条。
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来源：市场资讯
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