佳恩半导体取得异型槽分离栅IGBT结构制造方法专利
创始人
2025-05-27 10:34:33
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金融界2025年5月27日消息，国家知识产权局信息显示，青岛佳恩半导体科技有限公司取得一项名为“一种异型槽分离栅IGBT结构的制造方法”的专利，授权公告号CN113451401B，申请日期为2021年07月。

天眼查资料显示，青岛佳恩半导体科技有限公司，成立于2021年，位于青岛市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本2000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛佳恩半导体科技有限公司专利信息37条，此外企业还拥有行政许可2个。

来源：金融界

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