铠侠申请提升半导体装置品质专利，能够制造高品质的半导体装置
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2026-03-18 04:09:58
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置及半导体装置”的专利，公开号CN121665556A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，实施方式提供能够制造高品质的半导体装置的半导体存储装置及半导体装置。实施方式的半导体存储装置具备：氧化物半导体，沿着上下方向延伸；第1电极，包括第1导电体，该第1导电体包含第1氧化物导电材料，且与所述氧化物半导体的上端连接；栅极电极，隔着栅极绝缘膜而与所述氧化物半导体对置；第2电极，设置在所述氧化物半导体的下方，且在所述上下方向上延伸；电介质层，设置在所述第2电极的外周面；以及第3电极，设置在所述电介质层的外周面，所述第2电极包括第2导电体，该第2导电体包含第2氧化物导电材料，与所述氧化物半导体的下端连接，且具有隔着所述电介质层而与所述第3电极的内周面对置的对置面。
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来源：市场资讯
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