电子技术
富满微股价小幅上扬 半导体板块活跃
富满微最新股价报30.67元，较前一交易日上涨0.72%。盘中最高触及30.79元，最低下探30.06元，成交金额1.28亿元。 该公司主营业务为集成电路设计，...
艾森股份股价持平 半导体领域布局引关注
艾森股份5月14日股价报40.30元，与前一交易日持平。当日成交量为7499手，成交金额达3000万元，振幅为2.41%。 该公司主要从事半导体专用材料的研发、...
半导体设备ETF：5月14日融资买入526.31万元，融资融券余额1568.59万元
证券之星消息，5月14日，半导体设备ETF（561980）融资买入526.31万元，融资偿还339.72万元，融资净买入186.59万元，融资余额1568.59...
内江镭明半导体制造有限公司成立，注册资本1000万人民币
天眼查App显示，近日，内江镭明半导体制造有限公司成立，法定代表人为施心星，注册资本1000万人民币，由苏州镭明激光科技有限公司全资持股。 序号股东名称持股比例...
晶盛机电去年Q4首现季度亏损，巨额减值侵蚀利润，半导体业务难填业绩缺口
证券之星 陆雯燕 作为A股光伏设备龙头，晶盛机电(300316.SZ)2024年业绩踩下“急刹车”，出现营收净利双降情形，其归母净利润同比下滑超四成，甚至在去年...
印学者：中国能让美国达成协议，印度也得更强硬，展示勇气
【文/观察者网 齐倩】近日，印度被曝对美态度突然变调，从积极谈判，到对美加征关税。 5月14日，彭博社报道称，尚不清楚印度态度突变的原因，但此消息曝光时，距中...
建德市安泰电力电容器有限公司取得滤波电容器降噪减振装置专利，极大降低滤波电容器运行噪声
金融界2025年4月21日消息，国家知识产权局信息显示，建德市安泰电力电容器有限公司取得一项名为“36363.一种滤波电容器的降噪减振装置”的专利，授权公告号C...
今日投资参考： 科技金融体制改革深化 消费电子预期逐步修复
昨日，两市股指午后强势拉升，三大股指盘中均涨超1%，上证50指数一度涨超2%。截至收盘，沪指涨0.86%报3403.95点，深证成指涨0.64%报10354.2...
深圳普捷利取得汽车电子后视镜专利，降低行驶者在电子后视镜出现问题后的驾驶风险
金融界2025年5月15日消息，国家知识产权局信息显示，深圳普捷利科技有限公司取得一项名为“一种汽车电子后视镜”的专利，授权公告号 CN222859337U ，...
美光科技取得存储器单元及竖向延伸的存储器单元串阵列专利
金融界2025年3月26日消息，国家知识产权局信息显示，美光科技公司取得一项名为“存储器单元及竖向延伸的存储器单元串阵列”的专利，授权公告号 CN 112054...
PT2022D单触控单输出LED调光IC
1．产品概述 ● PT2022D是一款电容式触摸控制ASIC，支持单通道触摸输入和单路PWM输出，可引脚配置 8种功能。PT2022D主要应用于触摸调光LED灯...
东风神龙汽车发布自主新能源品牌“HEDMOS 示界”
IT之家 3 月 25 日消息，在东风集团和 Stellantis 集团股东双方协力支持下，神龙汽车今日宣布融入东风新能源事业版图，发布自主新能源汽车品牌“HE...
神龙汽车HEDMOS“示界”品牌问世，中国电动，法式驾控
3月25日，在东风集团和Stellantis集团股东双方协力支持下，神龙汽车融入东风新能源事业版图战略落地，发布自主新能源汽车品牌“HEDMOS示界”，标志着神...
宁波华仪宁创取得 MOS 管散热装置专利
金融界 2025 年 2 月 26 日消息，国家知识产权局信息显示，宁波华仪宁创智能科技有限公司取得一项名为“MOS 管散热装置”的专利，授权公告号 CN 11...
上海华力申请基于 SONOS 工艺的 MOS 电容制作方法专利，提高 MOS 电容的耐压特性
金融界 2025 年 4 月 2 日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“一种基于 SONOS 工艺的 MOS 电容制作方法”...
上海华力申请提高MOS器件性能专利，大大降低MOS器件栅极电阻
金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“一种提高MOS器件性能的方法”的专利，公开号 CN 119742...
深圳市格乐德科技取得一种MOS管的大电流驱动电路专利，提高MOS管的使用寿命
金融界2025年5月3日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市格乐德科技有限公司取得一项名为“一种MOS管的大电流驱动电路”的专利，授权公告号CN 2228030...
晶芯成申请MOS结构及其制备方法专利，改善MOS结构的短沟道效应
金融界2025年5月3日消息，国家知识产权局信息显示，晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“MOS结构及其制备方法”的专利，公开...
中国建筑第八工程局申请高精度基坑围护渗漏电位测量专利，有效提高测量精度
金融界2025年4月5日消息，国家知识产权局信息显示，中国建筑第八工程局有限公司申请一项名为“一种高精度基坑围护渗漏电位测量系统及方法”的专利，公开号CN 11...
北京伽略电子取得基于负载电位的芯片引脚悬空检测专利
金融界2025年2月25日消息，国家知识产权局信息显示，北京伽略电子股份有限公司取得一项名为“一种基于负载电位的芯片引脚悬空检测电路及其检测方法”的专利，授权公...