鼎声微电子申请氮化铝高功率背接厚膜电阻器专利，提高了厚膜电阻器的散热效率
创始人
2026-04-07 23:37:21
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国家知识产权局信息显示，宁波鼎声微电子科技有限公司申请一项名为“一种氮化铝高功率背接厚膜电阻器及其制备方法”的专利，公开号CN121812292A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明涉及一种氮化铝高功率背接厚膜电阻器及其制备方法，厚膜电阻器包括基板，基板包括相对设置的第一面和第二面，基板的第一面设置有电阻层、第一上电极和第二上电极，第一上电极与第二上电极间隔设置，电阻层电性连接在第一上电极与第二上电极之间；基板的第二面设置有下电极，基板沿其厚度方向开设有通孔，通孔的内壁设置有连通层，第二上电极通过连通层与下电极连接；电阻层与第一上电极之间、电阻层与第二上电极之间均设置有过渡层。利用通孔将下电极与第二上电极连接，使得厚膜电阻器的整个下表面成为一个散热面，提高了厚膜电阻器的散热效率，满足了厚膜电阻器的高功率需求。
天眼查资料显示，宁波鼎声微电子科技有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12575.91万人民币。通过天眼查大数据分析，宁波鼎声微电子科技有限公司参与招投标项目15次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息19条，此外企业还拥有行政许可8个。
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来源：市场资讯
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