功成半导体申请屏蔽栅沟槽MOSFET器件专利，显著提升器件的安全工作区和散热能力_行业新闻

功成半导体申请屏蔽栅沟槽MOSFET器件专利，显著提升器件的安全工作区和散热能力

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2026-04-07 23:59:04

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国家知识产权局信息显示，上海功成半导体科技有限公司申请一项名为“一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法”的专利，公开号CN121815691A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种屏蔽栅沟槽MOSFET器件及其制备方法，通过在层间介质层中形成形状为长条连续型，交替排布且横向宽度不同的第一接触孔和第二接触孔，其中，第二接触孔的横向宽度大于第一接触孔，第二接触孔所在元胞的沟道区域离子浓度较高，因而阈值电压较高；第一接触孔所在元胞的沟道离子浓度低，因而阈值电压较低，使得MOS器件工作时，低阈值电压元胞的沟道先开启导电，高阈值电压元胞的沟道后开启导电，而上述分时开启机制使得后开启的元胞能作为散热通道，为先开启的元胞分散热量，从而显著提升器件的安全工作区（SOA）和散热能力，且仅需调整接触孔掩膜版图的形状，无需增加额外工艺步骤，以极低的成本实现了MOS器件的可靠性和应用范围的提高。

天眼查资料显示，上海功成半导体科技有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本1414.9831万人民币。通过天眼查大数据分析，上海功成半导体科技有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息142条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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