应能微电子申请基于深沟槽隔离的单芯片双向低电容TVS器件专利，实现双向瞬态过压防护_行业新闻

应能微电子申请基于深沟槽隔离的单芯片双向低电容TVS器件专利，实现双向瞬态过压防护

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2026-04-11 21:57:29

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国家知识产权局信息显示，江苏应能微电子股份有限公司申请一项名为“一种基于深沟槽隔离的单芯片双向低电容TVS器件及其制造方法”的专利，公开号CN121843143A，申请日期为2026年3月。

专利摘要显示，本发明提供一种基于深沟槽隔离的单芯片双向低电容TVS器件及其制造方法；所述单芯片双向低电容TVS器件包括：第一导电类型重掺杂硅衬底；形成于第一导电类型重掺杂硅衬底上的第一外延层；形成于第一外延层上的第二外延层，所述第二外延层包括位于靠近第一外延层一侧的高电阻率外延区；形成于所述第二外延层中的顶部区域的第二导电类型阱区；以及形成于所述第二外延层中的近表面区域的第一导电类型表面重掺杂区；从而在器件内形成结构对称的放电区；所述放电区包括第一放电区和第二放电区；并且在所述放电区的外围设有深沟槽隔离结构。本发明能够在单一芯片内实现双向瞬态过压防护，同时兼顾低电容与成本优势。

天眼查资料显示，江苏应能微电子股份有限公司，成立于2012年，位于常州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本4286.5339万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏应能微电子股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目14次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息112条，此外企业还拥有行政许可11个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业导电投资沟槽器件隔离电容外延放电专利放电区

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