珠海楠欣半导体申请屏蔽栅晶体管及其制备方法专利，提供一种寄生三极管开启风险低的技术方案
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2026-04-23 00:48:43
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国家知识产权局信息显示，珠海楠欣半导体科技有限公司申请一项名为“屏蔽栅晶体管及其制备方法、芯片及电子设备”的专利，公开号CN121865659A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本申请提供了一种屏蔽栅晶体管及其制备方法、芯片及电子设备，涉及半导体技术领域，屏蔽栅晶体管包括：衬底，位于衬底第一侧的外延层；第一导电类型体区；第一导电类型体区从外延层背离衬底一侧，形成在外延层中；第二导电类型重掺杂区以及沟槽栅结构；第二导电类型重掺杂区从第一导电类型体区背离衬底的一侧形成在第一导电类型体区中；沟槽栅结构从第一导电类型体区背离衬底的一侧，至少形成在第一导电类型体区中；其中，沿沟槽栅结构的延伸方向，第二导电类型重掺杂区中的掺杂浓度，和/或第二导电类型重掺杂区中的PN结结深呈梯度变化。本申请实施例用于提供一种寄生三极管开启风险低，且器件饱和电流密度降低的技术方案。
天眼查资料显示，珠海楠欣半导体科技有限公司，成立于2023年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万。通过天眼查大数据分析，珠海楠欣半导体科技有限公司专利信息284条，此外企业还拥有行政许可3个。
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