达尔科技申请沟槽型半导体功率器件专利，涉及特定沟槽结构及二极管串设计
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2025-05-28 10:02:24
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金融界2025年5月28日消息，国家知识产权局信息显示，达尔科技股份有限公司申请一项名为“沟槽型半导体功率器件”的专利，公开号CN120051006A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本申请涉及沟槽型半导体功率器件。沟槽型半导体功率器件包括：衬底；外延层，位于衬底上；体掺杂区，位于外延层中；源极掺杂区，位于体掺杂区中；沟槽结构，在从源极掺杂区往衬底延伸的第一方向上具有第一深度，并包括沿第二方向延伸的第一半导体层。第一半导体层包括：第一部分，邻接体掺杂区和源极掺杂区，用以作为具有第一导电型的栅电极；以及第二部分，沿第二方向延伸且远离源极掺杂区，包括具有第一导电型的多个第一掺杂区以及具有第二导电型的多个第二掺杂区。多个第一掺杂区及多个第二掺杂区交错排列以形成具有背靠背二极管的二极管串。二极管串的第一端电性连接于栅电极，二极管串的第二端经由第一连接结构电性连接于源极掺杂区。
来源：金融界
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