中芯国际申请SRAM写辅助电路专利，降低SRAM写辅助电路的能耗并减小占用的电路面积_行业新闻

中芯国际申请SRAM写辅助电路专利，降低SRAM写辅助电路的能耗并减小占用的电路面积

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2026-05-16 23:27:14

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“SRAM写辅助电路、写辅助方法及SRAM”的专利，公开号CN122050452A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，一种SRAM写辅助电路、写辅助方法及SRAM。所述SRAM写辅助电路包括：连接于位线及反位线之间的负位线单元；其中：所述负位线单元包括：升压电容，适于在对SRAM存储单元执行写操作的过程中，产生压降；位线电压控制电路，由非易失性存储器件组成，适于在所述升压电容产生压降时，将所述位线及反位线中，低电压位线的电压下拉，而保持高电压位线电压不变。采用上述方案，可以降低SRAM写辅助电路的能耗并减小占用的电路面积。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目49次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目119次，财产线索方面有商标信息221条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可480个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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