安徽格恩半导体取得一种发光器件结构专利，不缩减发光面积的前提下增加电流流通通道
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2025-05-28 20:03:43
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金融界2025年5月28日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司取得一项名为“一种发光器件结构”的专利，授权公告号 CN222916535U，申请日期为 2024 年 08 月。
专利摘要显示，本实用新型涉及一种发光器件结构，包括基板、第一半导体层、第二半导体层和有源层；贯穿第二半导体层及有源层，并延伸到第一半导体层内部的第一凹陷和第二凹陷，第一凹陷和第二凹陷均设置两处，且对应的第一凹陷和第二凹陷均对称设置；与第二半导体层形成欧姆接触的第一导电层，与第一导电层形成电连接的反射层，与反射层形成电连接的第二导电层，与第二导电层形成电连接的第三导电层，与第三导电层形成电连接的第一焊盘；第一导电层、反射层、第二导电层、第三导电层、第一焊盘共同组成第一电连接层。
天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息478条，此外企业还拥有行政许可12个。
来源：金融界
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