合肥晶合申请半导体结构的制备方法及其半导体结构专利，可降低未反应金属层的去除温度_行业新闻

合肥晶合申请半导体结构的制备方法及其半导体结构专利，可降低未反应金属层的去除温度

创始人

2025-05-29 09:33:17

0次

金融界2025年5月29日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制备方法及其半导体结构”的专利，公开号CN120048798A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的制备方法及其半导体结构，具体涉及半导体技术领域。半导体结构的制备方法包括：提供初始半导体结构，初始半导体结构上沉积有金属层；对金属层进行第一退火处理，生成金属硅化合物；采用第一清洗液对初始半导体结构进行处理，第一清洗液为硫酸、过氧化氢和亚铁离子的混合溶液；采用第二清洗液对初始半导体结构进行处理，第二清洗液为盐酸、过氧化氢和水的混合溶液；对金属硅化合物进行第二退火处理，生成自对准硅化物层。采用本发明的半导体结构的制备方法可降低未反应金属层的去除温度，避免高温对金属硅化合物热稳定的影响和损伤，提高产品良率。

天眼查资料显示，合肥晶合集成电路股份有限公司，成立于2015年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析，合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目623次，财产线索方面有商标信息41条，专利信息1149条，此外企业还拥有行政许可17个。

来源：金融界

企业方法降低清洗液金属层导体反应晶合结构专利过氧化氢半导体硅化合物

上一篇：煋邦数码申请一种电路断开装置专利，实现电路的断开

下一篇：中航光电新地标民机与工业互连产业园的“连接”交响曲

合肥晶合申请半导体结构的制备方法及其半导体结构专利，可降低未反应金属层的去除温度

相关内容

热门资讯