爱思开海力士申请包括沟槽结构的半导体封装专利，提高半导体封装性能
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2025-05-15 10:52:11
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金融界2025年5月14日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“包括沟槽结构的半导体封装、其制造方法和条形基板”的专利，公开号CN119965160A，申请日期为2024年4月。
专利摘要显示，本申请涉及包括沟槽结构的半导体封装、其制造方法和条形基板。一种半导体封装包括：封装基板，其包括设置在封装基板的底表面的外围的多个沟槽；半导体芯片，其设置在封装基板的顶表面上；包封部，其设置在封装基板的顶表面上，并且密封半导体芯片；以及屏蔽层，其设置在包封部的表面和封装基板的侧表面上。多个沟槽中的至少一个包括在与屏蔽层的接触对应沟槽的部分延伸的方向垂直的方向上连续地设置的第一区域和第二区域，并且第一区域和第二区域具有不同的宽度。
来源：金融界
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