江苏第三代半导体研究院取得具有全包式DBR结构的微型发光二极管及其制备方法专利
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2025-05-30 18:33:22
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金融界2025年5月30日消息，国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司取得一项名为“具有全包式DBR结构的微型发光二极管及其制备方法”的专利，授权公告号CN119050219B，申请日期为2024年10月。
天眼查资料显示，江苏第三代半导体研究院有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏第三代半导体研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目20次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息343条，此外企业还拥有行政许可9个。
来源：金融界
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