华中科技大学和武汉光迅科技取得基于补偿掺杂的全硅光电探测器及其制备方法专利
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2025-05-30 18:34:20
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金融界2025年5月30日消息，国家知识产权局信息显示，华中科技大学;武汉光迅科技股份有限公司取得一项名为“一种基于补偿掺杂的全硅光电探测器及其制备方法”的专利，授权公告号CN115763612B，申请日期为2022年11月。
来源：金融界
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