紫光半导体申请半导体的后段制造方法专利，满足压应力要求，避免封装时出现裂缝
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2025-05-30 20:06:30
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金融界2025年5月30日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体的后段制造方法”的专利，公开号CN120072664A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体的后段制造方法，包括：在顶部金属层上设置第一氮化物层；采用化学气相沉积的方式在第一氮化物层上沉积第一介电质层，并通过调整低频能量参数使第一介电质层的压应力为第一压应力值；对第一介电质层和第一氮化物层进行刻蚀以形成第一刻蚀槽；在第一介电质层的表面及第一刻蚀槽内设置金属衬垫层；对金属衬垫层进行刻蚀；采用化学气相沉积的方式在金属衬垫层上沉积第二介电质层，并通过调整低频能量参数使第二介电质层的压应力为第二压应力值；采用化学气相沉积的方式在第二介电质层上沉积第二氮化物层，并通过调整低频能量参数使第二氮化物层的压应力为第三压应力值，满足压应力要求，避免封装时出现裂缝，提升良品率。
天眼查资料显示，成都紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光半导体科技有限公司专利信息25条。
来源：金融界
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