无锡旷通申请高浪涌MOS器件及其制备方法专利，有效增强MOS器件的抗浪涌能力
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2025-05-15 10:55:49
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金融界2025年4月22日消息，国家知识产权局信息显示，无锡旷通半导体有限公司申请一项名为“高浪涌MOS器件及其制备方法”的专利，公开号CN119855212A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本发明涉及一种高浪涌MOS器件及其制备方法，其包括栅极结构、第二导电类型体区、第一导电类型第一源区和第一导电类型第二源区，栅极结构至少设置有两个，第二导电类型体区设置在两个栅极结构之间，多个第一导电类型第一源区沿第一方向排布设置，多个第一导电类型第二源区沿第一方向排布设置，第一导电类型第一源区和第一导电类型第二源区在第二方向上处于不同位置，第一导电类型第一源区和第二导电类型第二源区沿第一方向依次交错设置，第一导电类型第一源区和相邻的第一导电类型第二源区连接，本发明具有显著的增加MOS器件中第二导电类型体区的结面积，进而有效的增加P/N结的结面积，有效增强MOS器件的抗浪涌能力的效果。
天眼查资料显示，无锡旷通半导体有限公司，成立于2023年，位于无锡市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡旷通半导体有限公司财产线索方面有商标信息5条，专利信息8条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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