清芯微取得具有较低导通电阻的VDMOSFET器件专利 能适应更高的温度
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2025-05-31 20:05:17
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金融界2025年5月31日消息，国家知识产权局信息显示，北京清芯微储能科技有限公司取得一项名为“一种具有较低导通电阻的VDMOSFET器件”的专利，授权公告号CN222928730U，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本实用新型涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有较低导通电阻的VDMOSFET器件，包括由若干个MOS元胞并列构成的VDMOSFET结构，所述VDMOSFET结构的底层表面欧姆连接有漏极，所述VDMOSFET结构的顶层表面欧姆连接有源极；单个所述MOS元胞的半导体层与源极之间嵌设有栅极，其栅极高度占VDMOSFET结构厚度的1/3；所述MOS元胞包括沉底层、扩散层、P阱层以及N阱层，其中N阱层与扩散层之间通过P阱层隔断；所述N阱层包括轻掺杂N阱一、重掺杂N阱一以及重掺杂N阱二。本实用新型采用更长的栅极嵌在半导体内部，并且由于栅极的硬度均匀且相对较大，这样可以确保MOS半导体在制备时，因热处理而让不同阱层粘接强度不足的问题得到弥补，从而使得该MOS器件能适应更高的温度。
天眼查资料显示，北京清芯微储能科技有限公司，成立于2023年，位于杭州市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京清芯微储能科技有限公司专利信息37条。
来源：金融界
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