金融界 2025 年 5 月 2 日消息,国家知识产权局信息显示,华虹半导体(无锡)有限公司取得一项名为“一种超结沟槽栅 MOS 的制造方法”的专利,授权公告号 CN114267723B,申请日期为 2021 年 12 月。
天眼查资料显示,华虹半导体(无锡)有限公司,成立于2017年,位于无锡市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析,华虹半导体(无锡)有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目2910次,专利信息1621条,此外企业还拥有行政许可117个。
来源:金融界
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