晶合集成获得发明专利授权：“一种MOS器件及其制备方法”
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2025-05-15 10:56:25
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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种MOS器件及其制备方法”，专利申请号为CN202510106271.3，授权日为2025年4月25日。
专利摘要：本发明提供一种MOS器件及其制备方法，MOS器件包括设置在衬底上的栅极结构，以及位于所述栅极结构两侧的衬底中的源区和漏区，所述栅极结构包括M型的多晶硅栅极，所述多晶硅栅极在M型的两个门洞处设置有绝缘材料。本发明通过设计M型的多晶硅栅极，可以在线宽与现有技术保持不变的前提下，减少多晶硅栅极在朝向所述衬底的表面与所述衬底之间的接触面积，有效降低了寄生电容，从而减小了RC延时的效应，还能够使得多晶硅栅极保留对沟道的良好控制能力。
今年以来晶合集成新获得专利授权118个，较去年同期增加了9.26%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。
数据来源：天眼查APP
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