上海积塔半导体申请单晶硅片及处理方法专利 可有效降低应力
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2025-06-02 12:03:33
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金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“单晶硅片及单晶硅片的处理方法”的专利，公开号CN120060974A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本申请提供了一种单晶硅片及单晶硅片的处理方法，所述单晶硅片包括主体部和位于主体部外围的倒角部，倒角部的第一侧形成第一倒角面，倒角部的第二侧形成第二倒角面；第一倒角面的内边缘与外边缘在厚度方向上具有第一距离，第二倒角面的内边缘与外边缘在宽度方向上具有第二距离，第二距离小于第一距离；第一倒角面的内边缘与外边缘在厚度方向上具有第三距离，第二倒角面的内边缘与外边缘在厚度方向上具有第四距离，第四距离小于第三距离。本申请在单晶硅片的边缘形成不对称的倒角，倒角部的第二侧可以与反应设备的基座更贴合，受力面更均匀，在快速升温的过程中可有效降低应力，减少崩边、暗纹碎片的产生。

来源：金融界

方法 显示 面的 单晶硅 方向 处理 导体 硅片 边缘 专利 倒角部 倒角面 距离

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