日立能源申请用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件专利，形成不同类型的多个半导体结构
创始人
2025-06-02 12:32:46
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金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，日立能源有限公司申请一项名为“用于功率半导体器件的制造方法和功率半导体器件”的专利，公开号CN120077756A，申请日期为2022年10月。
专利摘要显示，本公开涉及一种用于功率半导体器件(1、40)的制造方法，该方法包括：在载体衬底(2)上形成多个生长模板，这些生长模板至少包括第一多个中空生长模板(18)和第二多个中空生长模板(28)；在第一中空生长模板(18)中的每一个中选择性地生长第一序列的不同地掺杂的宽带隙半导体材料，由此形成第一类型的对应的多个第一半导体结构(5)、特别是n+/p‑/n‑/n+结构；以及在第二中空生长模板(28)中的每一个中选择性地生长第二序列的不同地掺杂的宽带隙半导体材料，由此形成第二类型的对应的多个第二半导体结构(6)、特别是n+/n‑/p‑/n+结构。本公开进一步涉及一种功率半导体器件(1、40)，该功率半导体器件包括载体衬底(2)、至少一个介电层(4、27、31)、形成在所述至少一个介电层(4、27、31)内的第一类型的多个第一半导体结构(5)以及第二类型的多个第二半导体结构(6)。
来源：金融界
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