浪潮华光申请瞬态抑制二极管芯片制作方法专利，金属膜不易脱落
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2025-06-02 15:03:32
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金融界2025年6月2日消息，国家知识产权局信息显示，山东浪潮华光光电子股份有限公司申请一项名为“一种瞬态抑制二极管芯片制作方法”的专利，公开号CN120076353A，申请日期为2025年02月。

专利摘要显示，本申请提供的一种瞬态抑制二极管芯片制作方法涉及电子配件技术领域。该方法通过采用物理气相沉积镀膜的方法代替传统的化学镀膜的方法，一方面够解决现有技术中存在的化学镀镍前必须进行表面处理而造成的漏电和电压参数失效的问题，另一方面，本申请实施例所采用的物理气相沉积镀膜的方法相对于传统的化学镀膜的方法具有金属膜不易脱落的优点。另外，本申请实施例在进行切割时采用激光划片机切割和裂片机劈裂相结合的方式，相对于传统的金刚刀切割的方式可以有效的避免崩边及因崩边造成的漏电参数失效。

来源：金融界

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