联发科技申请静电放电保护装置及其形成方法专利，形成寄生电容更低的静电放电保护装置
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2025-06-03 11:04:24
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金融界2025年6月3日消息，国家知识产权局信息显示，联发科技股份有限公司申请一项名为“静电放电保护装置及其形成方法”的专利，公开号CN120076409A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开一种静电放电保护装置，包括：半导体基板；第一阱区，具有第一导电类型，并且位于该半导体基板中；以及第二阱区，具有第一导电类型，并且位于该半导体基板中并邻近该第一阱区，其中该第一阱区的第一底部和该第二阱区的第二底部彼此连接并具有不同的轮廓，其中，该第一阱区和该第二阱区具有不同的掺杂浓度。本发明可以利用同一个遮罩在同一个制程步骤中形成掺杂浓度不同的第一阱区和第二阱区，以便于形成寄生电容更低的静电放电保护装置。
来源：金融界
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