华微电子申请肖特基二极管及其制作方法专利，有效降低器件漏电流
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2025-06-03 13:34:11
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金融界2025年6月3日消息，国家知识产权局信息显示，吉林华微电子股份有限公司申请一项名为“肖特基二极管及其制作方法”的专利，公开号CN120076357A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本申请提供一种肖特基二极管及其制作方法，涉及半导体技术领域。上述肖特基二极管包括第一点状沟槽结构和第二点状沟槽结构，第一点状沟槽结构的周侧形成有第一夹断区域，且多个相邻第一点状沟槽结构所形成的第一夹断区域围合形成一未夹断区域。第二点状沟槽结构的周侧形成有第二夹断区域，第二夹断区域至少覆盖未夹断区域。如此，可以在未夹断区域形成额外的电场屏蔽，使得未夹断区域的电场强度增强或被重新分布，增强电场的夹断效果，减少因电场未夹断而导致的载流子隧穿或扩散，有效降低器件漏电流，解决漏电失效问题，提高其性能和可靠性。
来源：金融界
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