上海邦芯半导体申请半导体结构制作相关专利，显著提高薄膜沉积质量
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2025-06-03 15:06:21
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金融界2025年6月3日消息，国家知识产权局信息显示，上海邦芯半导体科技有限公司申请一项名为“半导体结构制作方法及半导体结构”的专利，公开号CN120072748A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本申请实施例公开了一种半导体结构制作方法及半导体结构，方法包括：采用第一温度，在衬底上沉积第一金属薄膜层的第一部分膜层；采用第二温度，在第一部分膜层上沉积第一金属薄膜层剩余的第二部分膜层，第二温度为在第一温度至第四温度之间温度逐渐增加的第一变温温度；采用第五温度，对形成的第一金属薄膜层进行加热处理，第五温度为在第四温度至第三温度之间温度逐渐增加的第二变温温度；采用第三温度，在第一金属薄膜层上沉积第二金属薄膜层，形成相密接的同一种金属的薄膜层。

来源：金融界

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