中欣晶圆半导体申请双面研磨后硅片表面清洁方法专利，去除片表面水渍以及颗粒
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2025-06-04 00:04:40
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金融界2025年6月3日消息，国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“双面研磨后硅片表面的清洁方法”的专利，公开号CN120079612A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明涉及一种双面研磨后硅片表面的清洁方法，所属硅片研磨加工清洁技术领域，包括如下操作步骤：第一步：通过伸缩气缸对限位橡胶卡环进行合拢，将硅片插夹限位。第二步：导轨上的滑动气缸带动硅片清洁工装上的硅片位移至旋转轮上端且与清洗刷不接触。第三步：接着滑动气缸位移使得旋转的清洗刷对硅片进行水渍的清洁。第四步：当完成一个面的清洁后，伸缩气缸拉伸，使得限位橡胶卡环夹紧片，然后滑动气缸带动硅片清洁工装上的硅片远离刷。第五步：翻面旋转气缸对片进行100度的旋转，接着片位移至旋转轮上端且与清洗刷进行另一个面的清洁过程。解决了研磨后水渍跟残留的问题。去除片表面的水渍以及颗粒。
天眼查资料显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，成立于2017年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本503225.6776万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息344条，此外企业还拥有行政许可17个。
来源：金融界
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