长光华芯获得发明专利授权：“半导体光子晶体发光结构及其制备方法”
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2025-06-04 05:34:22
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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示长光华芯（688048）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体光子晶体发光结构及其制备方法”，专利申请号为CN202510134531.8，授权日为2025年6月3日。
专利摘要：本发明提供一种半导体光子晶体发光结构及其制备方法，半导体光子晶体发光结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层一侧的有源层；位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的光子晶体层，所述光子晶体层包括第一半导体层、第二半导体层和保护层，所述第一半导体层中具有凹槽，所述凹槽自所述第一半导体层背离所述有源层的一侧表面延伸至所述第一半导体层中，所述保护层位于所述凹槽的内壁表面，所述第二半导体层位于相邻的凹槽之间的所述第一半导体层背离所述有源层的一侧表面且未延伸至所述凹槽中。半导体光子晶体发光结构的光场模式调控能力提高。
今年以来长光华芯新获得专利授权21个，较去年同期增加了162.5%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了1.27亿元，同比增7.02%。
数据来源：天眼查APP
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