硅存储技术申请双路径电荷泵专利，改进电荷泵
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2025-05-15 12:04:24
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金融界2025年4月21日消息，国家知识产权局信息显示，硅存储技术股份有限公司申请一项名为“双路径电荷泵”的专利，公开号CN119856224A，申请日期为2023年2月。
专利摘要显示，公开了改进的电荷泵的示例。在一个示例中，一种系统，该系统包括：第一充电路径，该第一充电路径包括用于提升输入电压的第一级和用于提升从该第一充电路径的该第一级接收的电压的第二级；和第二充电路径，该第二充电路径包括用于提升输入电压的第一级和用于提升从该第二充电路径的该第一级接收的电压的第二级；其中该第一充电路径的该第二级的输出耦接到该第二充电路径的该第一级，并且该第二充电路径的该第二级的输出耦接到该第一充电路径的该第一级。
来源：金融界
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