金融界2025年5月7日消息,国家知识产权局信息显示,上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“改善SONOS器件ONO电荷存储层损伤的方法”的专利,公开号CN119947113A,申请日期为2025年1月。
专利摘要显示,本申请提供一种改善SONOS器件ONO电荷存储层损伤的方法,包括:步骤一,提供一衬底,在衬底的元胞区上形成自下而上层叠的ONO层、栅极和硬掩膜层,在衬底的非元胞区上形成自下而上层叠的栅氧化层、栅极和硬掩膜层;步骤二,在栅极两侧形成第一侧墙;步骤三,实施元胞区LDD端刻蚀,去除第一侧墙外侧的ONO层;步骤四,在衬底上依次沉积氧化物层和牺牲材料层;步骤五,刻蚀牺牲材料层,去除位于衬底表面和栅极顶部的牺牲材料层;步骤六,去除硬掩膜层。在元胞区LDD端刻蚀完成后,沉积氧化物层和牺牲材料层,后续通过酸洗去除栅极顶部的硬掩膜层时,氧化物层防止ONO电荷存储层收到损伤。
天眼查资料显示,上海华力集成电路制造有限公司,成立于2016年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析,上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2070次,专利信息2286条,此外企业还拥有行政许可342个。
来源:金融界