金易微半导体申请MOS管上下盖夹片粘合封装方法及封装结构专利，提高MOS管的散热效率
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2025-06-04 13:33:31
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金融界2025年6月4日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市金易微半导体有限公司申请一项名为“MOS管上下盖夹片粘合封装方法及封装结构”的专利，公开号CN120089605A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明实施例公开了一种MOS管上下盖夹片粘合封装方法及封装结构，由于采用将散热下盖与散热上盖分别安装于芯片的两侧，并与芯片的两侧贴合，使得芯片产生的热量能够通过散热上盖和散热下盖传导至外部，以提高MOS管的散热效率、增强电器性能、强化机械可靠性以及体积小型化等。在散热时，散热下盖用于接触芯片或散热器，以将产生的热量传导至外部，达到散热的效果，同时，散热上盖与芯片的另一侧贴合，芯片上产生的热量能够通过散热上盖传导至外部，从而实现高效散热。本MOS管上下盖夹片粘合封装方法适用于功率MOSFET，相比于传统单一芯片封装，采用散热上盖与散热下盖夹片粘合封装的方式，其散热效率提升、电气性能增强、机械可靠性强化以及体积小型化。
天眼查资料显示，深圳市金易微半导体有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本660万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市金易微半导体有限公司财产线索方面有商标信息3条，专利信息4条，此外企业还拥有行政许可2个。
来源：金融界
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