无锡博通微电子技术申请复合栅纵向GaN开关器件及其制备方法专利，降低器件的导通电阻
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2025-06-06 12:04:41
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金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，无锡博通微电子技术有限公司申请一项名为“复合栅纵向GaN开关器件及其制备方法”的专利，公开号CN120111928A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种复合栅纵向GaN开关器件及其制备方法。复合栅纵向GaN开关器件包括纵向自下而上依次设置n+GaN衬底、n型GaN层、n+GaN层、p+GaN层以及n+源区；开关器件还包括：在n+GaN衬底的底部设置的漏极金属；开关器件还包括：在n+源区的上端设置的源极金属，源极金属的宽度与p+GaN层的宽度相同；开关器件还包括：设置在源极金属两侧的栅极金属，栅极金属与源极金属之间还设置有栅极介质。通过栅极控制通道的电子浓度，实现对纵向器件的栅极结构的导通控制以及电流分布设置，降低器件的导通电阻，提高器件的可靠性。
天眼查资料显示，无锡博通微电子技术有限公司，成立于2018年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3388.8855万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡博通微电子技术有限公司参与招投标项目3次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息23条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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