上海华力申请监测和表征MOS晶体管双峰效应的方法专利，能在线监测并及时评估晶体管的双峰效应
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2025-06-06 15:07:48
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金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“监测和表征MOS晶体管双峰效应的方法”的专利，公开号CN120103099A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种监测和表征MOS晶体管双峰效应的方法，包括：在未加背栅电压的条件下测试MOS晶体管的第一IdVg曲线。在加背栅电压的条件下测试第二IdVg曲线。根据第二IdVg曲线得到MOS晶体管的双峰对应的第一和第二峰值栅极电压。进行电压映射，包括：从第二IdVg曲线得到第一和第二峰值栅极电压对应的第一和第二漏极电流，从第一IdVg曲线得到电流对应的第三和第四栅极电压。进行双峰表征值计算，包括：由第二和第一峰值栅极电压之间的第一电压差以及第四和第三栅极电压之间的第二电压差，由第一和第二电压差得到双峰表征值。进行双峰效应判断，包括：当双峰表征值大于0时，判断存在双峰效应，反之没有。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2073次，专利信息2315条，此外企业还拥有行政许可342个。
来源：金融界
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