IBM申请带有导电覆层的相变存储器器件专利，公开一种用于相变存储器器件的器件结构
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2025-06-06 20:07:08
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金融界2025年6月6日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“带有导电覆层的相变存储器器件”的专利，公开号CN120112998A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，公开了一种用于相变存储器器件的器件结构。该器件结构包括顶部电极、凹陷在两层电阻衬垫材料之间的相变材料、以及导电材料。导电材料接触顶部电极的侧壁、相变材料的侧壁以及两层电阻衬垫材料中的每一层的顶表面和底表面的一部分。该器件结构包括接触底部电极及底层电阻衬垫材料的加热器。加热器在第一双层电介质中。第二双层电介质在顶部电极下方。
来源：金融界
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