桑迪士克申请具有贯穿堆叠接触过孔结构的三维存储器器件及其制造方法专利，一种存储器器件包括：第一绝缘层和第一导电层的第一交替堆叠，上覆于该第一交替堆叠的第一阶梯表面上的第一介电材料部分，竖直延伸穿过该第一交替堆叠的存储器开口，位于该存储器开口中并且包括竖直半导体沟道和存储器元件的竖直堆叠的存储器开口填充结构，和竖直延伸穿过该第一交替堆叠和该第一介电材料部分的第一接触过孔结构_行业新闻

桑迪士克申请具有贯穿堆叠接触过孔结构的三维存储器器件及其制造方法专利，一种存储器器件包括：第一绝缘层和第一导电层的第一交替堆叠，上覆于该第一交替堆叠的第一阶梯表面上的第一介电材料部分，竖直延伸穿过该第一交替堆叠的存储器开口，位于该存储器开口中并且包括竖直半导体沟道和存储器元件的竖直堆叠的存储器开口填充结构，和竖直延伸穿过该第一交替堆叠和该第一介电材料部分的第一接触过孔结构

创始人

2025-06-07 15:04:26

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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“具有贯穿堆叠接触过孔结构的三维存储器器件及其制造方法”的专利，公开号CN120113348A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，一种存储器器件包括：第一绝缘层和第一导电层的第一交替堆叠，上覆于该第一交替堆叠的第一阶梯表面上的第一介电材料部分，竖直延伸穿过该第一交替堆叠的存储器开口，位于该存储器开口中并且包括竖直半导体沟道和存储器元件的竖直堆叠的存储器开口填充结构，和竖直延伸穿过该第一交替堆叠和该第一介电材料部分的第一接触过孔结构。该第一接触过孔结构包括导电柱部分和导电鳍状部分，该导电鳍状部分从该导电柱部分横向突出并且具有接触该第一导电层中的一层的环形顶部表面区段的第一环形底部表面区段。

来源：金融界

显示导电器件穿过存储器表面过孔包括结构部分孔结构电层电材料

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