中微半导体申请SiN深孔结构的形成方法等专利，平均刻蚀速率较快
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2025-06-07 17:05:49
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“SiN深孔结构的形成方法、可读存储介质及半导体处理设备”的专利，公开号CN120109014A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种SiN深孔结构的形成方法、可读存储介质及半导体处理设备。该形成方法包括：第一刻蚀步骤：通入第一刻蚀气体，刻蚀SiN层以形成深孔结构，所述深孔结构按深度分为第一部分、第二部分；第一部分呈垂直轮廓，第二部分呈倒锥形轮廓；第二刻蚀步骤：通入第二刻蚀气体，刻蚀所述深孔结构至深孔结构底部的所述阻挡层。本发明通过两步法，第一刻蚀步骤在SiN深孔结构的第一部分形成垂直轮廓，第二刻蚀步骤改善深孔结构的第二部分的底部形貌，直至深孔结构的轮廓整体基本垂直。且，平均刻蚀速率较快，阻挡层的损失小。
天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本62236.3735万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了27家企业，参与招投标项目65次，财产线索方面有商标信息75条，专利信息1520条，此外企业还拥有行政许可72个。
来源：金融界
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