上海积塔半导体申请SONOS器件及其制备方法专利 改善SONOS器件的数据保持能力
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2025-06-07 17:05:52
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金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“SONOS器件及其制备方法”的专利，公开号CN120111945A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种SONOS器件及其制备方法，SONOS器件包括半导体衬底、存储结构及栅电极层，其中，存储结构包括隧穿介质层、存储层、氧化硅铪偶极子层以及顶部介质层。本发明通过在存储层的表面生长氧化硅铪偶极子层，可提升编程和擦除过程中的量子隧穿效率，在撤去外电场之后，氧化硅铪偶极子层依然保持极性，使得电荷更容易存储在存储层中，从而改善SONOS器件的数据保持能力。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1829次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1144条，此外企业还拥有行政许可192个。
来源：金融界
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