武汉新芯申请存储芯片及其操作方法专利，减少采用错误校正机制所带来的不良影响
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2025-06-09 19:35:54
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金融界2025年6月9日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“存储芯片及其操作方法”的专利，公开号CN120108473A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本申请公开了一种存储芯片及其操作方法，该操作方法通过存储空间中存储单元被写的数量小于或者等于预设数量，或者，写指令对应的写地址小于存储空间的存储地址中的一个，可以确定出存储空间的操作状态为部分编程状态；且对处于部分编程状态的存储空间禁用错误校正机制，由于处于部分编程状态的存储空间中存储单元被写入的数量较小，因此即使不采用错误校正机制仍然具有较高的读取成功率，并减少了采用错误校正机制所带来的不良影响，例如，在读取过程中需要增加实施错误校正机制的线程而降低了读取效率等。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目209次，财产线索方面有商标信息68条，专利信息1756条，此外企业还拥有行政许可105个。
来源：金融界
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