一本芯半导体取得碳化硅场效应晶体管专利，降低了MOS器件的静态损耗
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2025-06-10 22:35:28
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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，上海一本芯半导体科技有限公司取得一项名为“碳化硅场效应晶体管”的专利，授权公告号CN222967304U，申请日期为2024年06月。
专利摘要显示，本实用新型公开一种碳化硅场效应晶体管，包括：N型重掺杂碳化硅衬底和位于N型重掺杂碳化硅衬底上的N型外延层，所述N型重掺杂碳化硅衬底与N型外延层相背的表面具有一下金属电极层；位于N型重掺杂源极区内与沟槽相背的一侧具有一第二沟槽，此第二沟槽内填充有一N型重掺杂部，第二沟槽与N型重掺杂源极区之间具有一N型注入部，所述N型重掺杂部、N型注入部、N型重掺杂源极区间隔分布，所述第二沟槽下端位于N型外延层内，所述N型注入部位于P型阱区的中部；一绝缘介质层位于沟槽上方并覆盖栅极柱上。
天眼查资料显示，上海一本芯半导体科技有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本10.582万人民币。通过天眼查大数据分析，上海一本芯半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息1条，专利信息4条。
来源：金融界
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