扬杰科技取得一种更好栅极保护结构的SiC MOS专利，实现了对SiC MOSFET器件栅氧化层良好的保护效果
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2025-06-11 00:05:09
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金融界2025年6月10日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“一种更好栅极保护结构的SiC MOS”的专利，授权公告号CN222967305U，申请日期为2024年08月。
专利摘要显示，一种更好栅极保护结构的SiC MOS，涉及半导体技术领域。包括从下而上设置的SiC Sub层和SiC Epi层；所述SiC Epi层上设有：P-body区，从所述SiC Epi层的顶面向下延伸；NP区，从所述P-body区的顶面向下延伸；PP区，从所述P-body区的顶面向下延伸，并与所述NP区连接；P-shield区，从所述P-body区的顶面向下延伸，与所述P-body区设有间距；N+区，从所述P-shield区的顶面向下延伸；栅极欧姆接触合金层，形成于所述P-shield区的顶面，底面分别与所述P-shield区和N+区连接；栅氧化层，与所述栅极欧姆接触合金层连接，底部分别与所述NP区、P-body区和SiC Epi层连接；栅氧化层的顶面低于栅极欧姆接触合金层的底面。
天眼查资料显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司，成立于2006年，位于扬州市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本54334.7787万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了27家企业，参与招投标项目183次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息740条，此外企业还拥有行政许可234个。
来源：金融界
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