扬杰电子取得集成混合型体二极管的SiC MOSFETT专利，实现对器件长期稳定使用的改善
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2025-06-11 16:34:35
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金融界2025年6月11日消息，国家知识产权局信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司取得一项名为“集成混合型体二极管的SiC MOSFETT”的专利，授权公告号CN222967306U，申请日期为2024年08月。
专利摘要显示，集成混合型体二极管的SiC MOSFET，涉及半导体技术领域。本实用新型在沟槽栅SiC MOSFET器件内部集成SBD二极管和PN结二极管，形成混合型体二极管，实现了对器件长期稳定使用的改善。在Is续流过程中，SBD体二极管作为续流管先行开启，避免了空穴进入到SiC Drift层中发生双极退化效应；在器件经Issm大浪涌电流时，PN结体二极管开启，从而提高了器件承受大浪涌电流冲击能力。
天眼查资料显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司，成立于2006年，位于扬州市，是一家以从事电力、热力生产和供应业为主的企业。企业注册资本54334.7787万人民币。通过天眼查大数据分析，扬州扬杰电子科技股份有限公司共对外投资了27家企业，参与招投标项目183次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息740条，此外企业还拥有行政许可234个。
来源：金融界
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