上海积塔半导体取得半导体结构专利，提升开关驱动效率
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2025-06-12 12:05:14
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金融界2025年6月12日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司取得一项名为“半导体结构”的专利，授权公告号CN222967298U，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种半导体结构。所述半导体结构包括：半导体衬底、沟槽、场氧化层、源多晶硅、栅氧化层以及多晶硅栅；所述源多晶硅顶面为平滑表面，所述多晶硅栅与所述源多晶硅重叠区域的面积小于预设阈值。本实用新型源多晶硅顶面形成平滑表面，器件有源区的多晶硅栅与源多晶硅重叠区域变小，可以改善源多晶硅断裂缺陷、避免导致IGSS低良问题，同时低成本的降低器件的G‑S重叠耦合面积，减小栅源电容以及栅极充电时间，从而降低器件开关损耗，提升了开关驱动效率。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1829次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1148条，此外企业还拥有行政许可192个。
来源：金融界
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