浙江创芯申请半导体结构的形成方法专利，减少研磨时间
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2025-06-13 14:07:53
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金融界2025年6月13日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN120149265A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底的表面形成介质层；刻蚀所述介质层，在所述介质层内形成暴露出所述基底部分表面的通孔；在所述通孔的底部表面和侧壁表面以及所述介质层的表面形成金属籽层；对所述介质层表面的所述金属籽层进行改性处理；在所述金属籽层的表面上生长初始金属层，所述初始金属层填充满所述通孔且延伸至所述介质层的表面上，所述初始金属层在所述金属籽层表面的生长速率得到抑制；对所述初始金属层进行平坦化研磨，在所述通孔内形成金属层，所述金属层的顶部表面与所述介质层的表面齐平；利用所述初始金属层在所述金属籽层表面的生长速率得到抑制，使得所述介质层表面的所述初始金属层的厚度得到减少，这样平坦化研磨过程可以减少研磨时间，大幅减少工艺成本，且平坦化效果得以改善，提高半导体结构的性能，具有较广泛的适用范围。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目248次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息322条，此外企业还拥有行政许可6个。
来源：金融界
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