安徽微芯长江半导体申请提升碳化硅晶体电阻率均匀性物理气相传输法专利，大幅提升生长的碳化硅晶体的片内和晶体头尾的电阻率均匀性
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2025-06-14 09:06:53
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金融界2025年6月14日消息，国家知识产权局信息显示，安徽微芯长江半导体材料有限公司申请一项名为“一种提升碳化硅晶体电阻率均匀性的物理气相传输法”的专利，公开号CN120138787A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种提升碳化硅晶体电阻率均匀性的物理气相传输法，本发明通过对碳化硅原料进行渗氮预处理使得原料中的氮含量保持均匀，可以大幅提升生长的碳化硅晶体的片内和晶体头尾的电阻率均匀性。与不进行原料渗氮预处理的工艺相比，晶体片内的电阻率最大最小值偏差从约10%降低到＜2%，均匀性提高了近5倍，特别是尾片的片内偏差减小到小于1%；同一晶体的头片和尾片的电阻率最大最小值偏差从约20%降低到约10%，均匀性提高了近1倍。
天眼查资料显示，安徽微芯长江半导体材料有限公司，成立于2020年，位于铜陵市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本89000万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽微芯长江半导体材料有限公司参与招投标项目23次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息143条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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