浙江驰拓科技申请磁存储单元制备方法专利，有效控制参考电阻的阻值
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2025-06-17 09:09:11
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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“磁存储单元制备方法”的专利，公开号CN120166911A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本发明提供一种磁存储单元制备方法，所述方法包括：提供一衬底，所述衬底包括磁存储单元底电极；在所述底电极上制备磁隧道结叠层，并获取所述磁隧道结叠层的一个以上的实际参数；将所述实际参数与对应的第一预设参数进行比较，确定比较结果；依据所述比较结果，确定所述磁隧道结叠层对应的参考电阻的工艺参数；依据确定后的工艺参数形成所述参考电阻。
天眼查资料显示，浙江驰拓科技有限公司，成立于2016年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本17714.088889万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江驰拓科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目95次，财产线索方面有商标信息10条，专利信息431条，此外企业还拥有行政许可7个。
来源：金融界
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