长鑫芯瑞申请半导体结构及其制造方法专利，提供一种半导体结构及其制造方法
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2025-06-17 11:38:09
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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN120166698A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中，半导体结构包括：衬底，以及位于衬底上的多个有源柱，多个有源柱排列成多个沿第一方向延伸的有源柱行和多个沿第二方向延伸的有源柱列；其中，多个有源柱列包括沿第一方向间隔排布的多个有源柱组，每一有源柱组包括沿第一方向相邻排布的两个有源柱列；第一方向和第二方向交叉且均平行于衬底的表面；多个埋入式位线，位于有源柱组中相邻的两个有源柱列之间，并和与其相邻的两个有源柱列中的每个有源柱电连接，且相邻的两个埋入式位线由相邻的两个有源柱组中的分属于不同有源柱组的相邻两个有源柱列间隔开。
天眼查资料显示，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司，成立于2024年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫芯瑞存储技术（北京）有限公司专利信息6条，此外企业还拥有行政许可1个。
来源：金融界
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