华虹半导体申请闪存浮栅的形成方法专利，改善浮栅厚度的均一性
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2025-06-17 11:38:18
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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“闪存浮栅的形成方法”的专利，公开号CN120166702A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种闪存浮栅的形成方法，包括：提供形成有隔离介质层的半导体衬底。在器件单元区的半导体衬底表面形成浮栅介质层。形成浮栅多晶硅层，浮栅多晶硅层覆盖在器件单元区和外围区。采用湿法刻蚀工艺对浮栅多晶硅层进行刻蚀并使器件单元区的浮栅多晶硅层的厚度减少到浮栅所需要厚度。进行图形化刻蚀将外围区的浮栅多晶硅层去除，由保留在器件单元区的浮栅多晶硅层作为浮栅。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2921次，专利信息1686条，此外企业还拥有行政许可117个。
上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目894次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。
来源：金融界
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