长鑫科技申请半导体结构及其制造方法专利，有利于简化形成半导体结构的步骤
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2025-06-17 15:36:51
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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN120164865A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体技术领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：第一衬底以及位于第一衬底中的半导体器件；多个第一导电垫，连接半导体器件；多个第二导电垫，至少一个第一导电垫和至少一个第二导电垫通过沿垂直于第一衬底的方向延伸的第一导电互连结构电连接；填充层，填充层填充在各第一导电垫、第一导电互连结构以及各第二导电垫的外周；其中，第一导电互连结构具有被相邻的第二导电垫之间的填充层所掩埋的表面。
天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本5777094.224万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了19家企业，参与招投标项目1079次，财产线索方面有商标信息229条，专利信息402条，此外企业还拥有行政许可33个。
来源：金融界
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