南亚科技申请半导体元件及其制造方法专利，提高半导体元件的整体电性能
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2025-06-17 17:40:08
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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体元件及其制造方法”的专利，公开号CN120164786A，申请日期为2024年03月。

专利摘要显示，本揭露提供一种半导体元件的制造方法。所述方法包含：形成图案化硬遮罩层于基板的周边区域以及阵列区域中的基板上，其中图案化硬遮罩层具有多个镂空部；通过图案化硬遮罩层的镂空部形成多个沟槽于周边区域以及阵列区域中的基板上；通过第一沉积工艺沉积第一氧化物层于沟槽的多个内表面上；通过第二沉积工艺沉积第二氧化物层于第一氧化物层上，致使沟槽被填充，其中第一氧化物层的材料与第二氧化物层的材料相同。

来源：金融界

制造 方法 显示 沟槽 元件 氧化物 导体 专利 区域 图案化 遮罩 镂空部

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